عمان- أعلنت شركة سامسونج الكترونيكس الرائدة في مجال تكنولوجيا الذاكرة عن بدء إنتاج بطاقات DRAM من نوع LPDDR3 بسعة 3 جيجابايت للهواتف الخلوية، وتعد أعلى حلول الذاكرة سعة للجيل القادم من الهواتف الذكية، الأمر الذي سيؤدي إلى تحول في السوق من سعات 2 جيجابايت التي يتم استخدامها على نطاق واسع في الأجهزة الخلوية الحالية.
وتستخدم ذاكرة DRAM الجديدة LPDDR3 سعة 3 جيجابايت ستة رقاقات من نوع 20-nanometer (nm) class LPDDR3 سعة 4 جيجابايت وهي الأصغر من نوعها في العالم، في بنية متساوية لمجموعتين من ثلاث رقائق مكدسة في حزمة واحدة يبلغ علوها 0.8 ملليمتر فقط. ومع الخط الجديد من حزم الأبعاد، فإن حلول سامسونج للذاكرة فائقة النحافة الجديدة للهاتف الذكي ستمكن من إيجاد تصاميم أنحف وإتاحة مساحة إضافية للبطارية، في حين تقدم سرعة نقل بيانات تصل إلى 2،133 ميجابت في الثانية (Mbps) للدبوس الواحد.
وقال السيد يونغ هيون جون، نائب الرئيس التنفيذي لمبيعات والتسويق لوحدة أعمال الذاكرة: “سيتم اعتماد الذاكرة 3GB DRAM للهواتف الذكية الحالية المميزة، بدءاً من النصف الثاني لهذا العام - وهو اعتماد أولي سوف يتوسع ليشمل معظم الهواتف الذكية الراقية في جميع أنحاء العالم في العام المقبل”، وأضاف: “سنعمل على تطوير حلول ذاكرة جديدة LPDDR3 بسعة 3جيجابابت قائمة على أربعة رقائق LPDDR3 بسعة 6 جيجابايت من قبل وضع رقاقتين بشكل متساو على كل جانب، والذي سيرفع الأداء الذكي للمستوى التالي بحلول نهاية العام الحالي.”
ومع زيادة سعة الذاكرة العشوائية للهواتف المحمولة، يمكن للمستخدمين التمتع بفيديو عالي الجودة، كامل الوضوح وبشكل أسرع بالإضافة إلى تعدد المهام على هواتفهم الذكية. وتعمل ذاكرة LPDDR3 على تنزيل سريع للبيانات وقادرة على تقديم الدعم الكامل لخدمات شبكات الجيل الرابعة LTE-A، وهي المعيار الجديد للاتصالات الخلوية للجيل المقبل.
وترتبط ذاكرة سامسونج 3GB LPDDR3 DRAM مع معالج تطبيقات الهاتف الخلوي باستخدام اثنتين من قنوات نقل البيانات المتناظرة، كل واحدة منها متصلة بوحدة تخزين سعتها 1.5 جيجابايت.
الأربعاء 24 نيسان 2024
